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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查的结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全(quán)审查(chá)，目的是(shì)防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安(ān)全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实(shí)施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收入来(lái)自中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签四氧化三铁铁几价氧几价，骂人三氧化二铁什么意思署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de四氧化三铁铁几价氧几价，骂人三氧化二铁什么意思)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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